semi-conducteurs
Publié le 10/03/2014
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TRANSISTOR MOS.doc 15/09/2002 Auteur : HANNEQUIN Page 2 sur 8
1.) CONSTITUTION
1.1.) NOTION DE DOPAGE
En électronique nous utilisons principalement du silicium
sous forme cristalline.
Dans ce cristal chaque atome partage les électrons de sa
couche périphérique ( couche de valence ) avec ses voisins.
Ceci a pour conséquence de la compléter, ce qui implique une
mauvaise conduction du courant électrique ( les électrons ont
du mal se déplacer ).
Pour faciliter la conduction on peu, introduire des atomes
d'un matériau possédant 5 électrons sur sa couche périphérique,
l'électron excédentaire sera mobile et pourra se déplacer
facilement.
Dans ce cas le cristal sera dopé de type N.
On peu également introduire des atomes d'un matériau ne
possédant que 3 électrons sur sa couche périphérique, l'électron
manquant fera un trou dans la structure pouvant accepter
temporairement un électron.
Dans ce cas le cristal sera dopé de type P.
Une diode est la juxtaposition d'une zone dopée N avec une
zone dopée P.
électron
no yau
Zone N Zone P.
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